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8月中旬AI供电集成与三星电力策略共振 纹波散热成选型关键

本期六条动态指向同一个词:电源链路。AI硬件集成、三星谋划自营电力、48V直降1.2V百安参考设计、抗辐射GaN驱动……每一条都把纹波与散热从“参数校验”推向“预算管理”。以下按板块快速浏览。

行业新闻

  • LID World Summit 2026:AI硬件进入系统级集成阶段。据EE Times报道,AI产业下一步并非单点芯片,而是存储、封装、光子与供电的系统级协同优化。这个判断直接抬高了供电架构的地位:系统集成后,负载动态范围更大,纹波与热约束不能只在单板内部消化。对开关电源与家电厂而言,不必追逐AI服务器规格,但“先定纹波与散热预算,再选器件”的设计顺序值得借鉴。

新品发布

  • Apex Microtechnology扩充精密功率运放产品线。据Power Electronics News报道,新品主打更高热性能、集成保护与紧凑封装,面向精密系统应用。集成保护让外围元件减少,但小封装挤压了散热路径;运放是把电源纹波引入控制环的常见路径,功率级滤波电容的纹波电流能力需按高温环境复核,不能只看常温规格。

  • 东芝公布48V总线两级DC-DC参考设计。据Electronics For U报道,该方案从48V服务器总线降压至1.2V,输出100A,采用两级架构保证效率。1.2V输出电压几乎没有跌落空间,100A瞬态电流带来极高di/dt,对输出电容的ESL/ESR是严苛考验。两级架构的价值在于把高频开关纹波与低频负载波动分开处理,中间母线与输出级需要不同的电容选型策略——这正是成本与性能平衡的落点。

  • 英飞凌发布抗辐射GaN HEMT栅极驱动器RIC70115。据Power Electronics News报道,该器件面向卫星等空间应用。空间场景与家电距离较远,但GaN高频化趋势是共同的:栅极驱动决定开关边沿,边沿越陡,滤波回路需要处理的纹波频段越高。对常规开关电源来说,铝电解在低频母线侧仍是主力,高频输出侧要靠低ESR固态电容接力的格局,会随着GaN应用扩大而加速分化。

活动展会

  • FMS2026:Silicon Motion以PerformaShape技术切入AI SSD。据Embedded.com报道,Silicon Motion推出MonTitan SSD参考设计套件,内置新一代PerformaShape技术,面向智能体AI基础设施,企业级SSD开始承担KV缓存卸载等持久内存任务。SSD功耗曲线正从平稳变为脉冲式,供电端要在极短时间内响应负载跳变。设计者应重新核算中间母线电容的容值、位置与纹波电流能力,在参考设计阶段就把动态响应预算留足,而不是等EMC测试再补救。

公司动态

  • 三星酝酿自建电力采购子公司,瞄准2027年投运。据DIGITIMES报道,三星集团考虑成立内部电力子公司,为半导体工厂直购电力,背景是AI与芯片制造推高晶圆厂用电需求。这传递出两个信号:电力正成为与产能同等重要的生产资源;电力成本压力将沿芯片-元器件-整机链条向下传导。对电源厂而言,这意味着终端BOM成本的天花板会更硬,设计中把纹波余量与散热成本放在同一张预算表里平衡,是更务实的选择。

趋势小结

本期动态的关键词是“预算”。电源设计既要满足更紧的纹波散热约束,又不能无限增加成本。明确路径:先定纹波与热预算,再倒逼电容选型与拓扑设计,而非统一套用高规格。Nippon 黑金刚将跟进上述场域,以高纹波电流与长寿命产品支持差异化选型。

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